Антава

INFINEON

Транзистор BSC036NE7NS3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
75 V
Pulsed drain current
400 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
3.6 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 992 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%582,93 ₽

Сумма · с НДС 22%11 658,60 ₽

От 20 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20582,93 ₽
от 30496,71 ₽
от 50477,97 ₽
от 100466,72 ₽
от 200414,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC036NE7NS3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage75 V
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность156 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63.4nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 75V; 400A; 156W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.