Антава

INFINEON

Транзистор BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
83 A
Рассеиваемая мощность
52 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 096 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%228,80 ₽

Сумма · с НДС 22%228,80 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1228,80 ₽
от 10157,53 ₽
от 50148,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC032N04LSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current83 A
Рассеиваемая мощность52 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя