INFINEON
Транзистор BSC032N04LSATMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 83 A
- Рассеиваемая мощность
- 52 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 096 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%228,80 ₽
Сумма · с НДС 22%228,80 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 228,80 ₽ | |
| от 10 | 157,53 ₽ | |
| от 50 | 148,16 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 83 A |
| Рассеиваемая мощность | 52 W |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.