INFINEON

Транзистор BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 83 A
Рассеиваемая мощность: 52 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BSC032N04LSATMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	83 A
Рассеиваемая мощность	52 W
Корпус	PG-TDSON-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя