Антава

INFINEON

Транзистор BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-100 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC030P03NS3GAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-100 A
Power dissipation125 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя