Антава

INFINEON

Транзистор BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-100 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 770 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%571,75 ₽

Сумма · с НДС 22%571,75 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1571,75 ₽
от 10385,60 ₽
от 50294,42 ₽
от 100260,23 ₽
от 250222,24 ₽
от 500197,55 ₽
от 1000174,75 ₽
от 2500165,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC030P03NS3GAUMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-100 A
Power dissipation125 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя