Антава

INFINEON

Транзистор BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 277 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%438,21 ₽

Сумма · с НДС 22%438,21 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1438,21 ₽
от 10277,71 ₽
от 50245,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSC028N06NSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя