Антава

INFINEON

Транзистор BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC027N04LSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя