Антава

INFINEON

Транзистор BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
63 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC026N04LSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation63 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя