Антава

INFINEON

Транзистор BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSC011N03LSIATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность96 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя