Антава

INFINEON

Транзистор BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
39 A
Power dissipation
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSC010NE2LSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current39 A
Power dissipation96 W
КорпусPG-TDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8

Документация

Документ производителя