Антава

INFINEON

Транзистор BSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
100 A
Power dissipation
150 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSC010N04LS6ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current100 A
Power dissipation150 W
КорпусPG-TDSON-8 FL
On-state resistance1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W

Документация

Документ производителя