DIODES INCORPORATED
Транзистор BS250FTA
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -45 V
- Drain current
- -0.09 A
- Pulsed drain current
- -1.6 A
- Power dissipation
- 0.33 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 18 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%224,48 ₽
Сумма · с НДС 22%224,48 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 224,48 ₽ | |
| от 5 | 179,96 ₽ | |
| от 10 | 154,50 ₽ | |
| от 25 | 123,94 ₽ | |
| от 50 | 106,20 ₽ | |
| от 100 | 93,38 ₽ | |
| от 500 | 76,97 ₽ | |
| от 1000 | 71,68 ₽ | |
| от 1500 | 69,42 ₽ | |
| от 3000 | 66,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BS250FTA |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -45 V |
| Drain current | -0.09 A |
| Pulsed drain current | -1.6 A |
| Power dissipation | 0.33 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 14 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -0.09A; Idm: -1.6A; 0.33W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.