Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор BS170P

BS170P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.27A
Pulsed drain current
3A
Power dissipation
0.625W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBS170P
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.27A
Pulsed drain current3A
Power dissipation0.625W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92

Документация

Документ производителя