Антава

ONSEMI

Транзистор BS170

BS170
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
DMOS
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.5A
Pulsed drain current
1.2A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBS170
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyDMOS
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.5A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.83W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92

Документация

Документ производителя