Антава

BOURNS

Транзистор BIDD05N60T

BIDD05N60T
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop, Trench
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
10 A
Power dissipation
82 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBIDD05N60T
ПроизводительBOURNS
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop, Trench
Collector-emitter voltage600 V
Collector current10 A
Power dissipation82 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.5nC
Turn-off switching energy0.07mJ
Turn-on switching energy0.2mJ
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 10A; 82W; DPAK; Eoff: 0.07mJ

Документация

Документы пока не предоставлены.