Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор BGH75N65ZF1

BGH75N65ZF1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
75 A
Power dissipation
405 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 29 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 896,72 ₽

Сумма · с НДС 22%2 896,72 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 896,72 ₽
от 52 596,60 ₽
от 302 285,09 ₽
от 1501 914,69 ₽
от 6001 846,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBGH75N65ZF1
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current75 A
Power dissipation405 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge444nC
Kind of packagetube
Turn-on time84ns
Turn-off time565ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4

Документация

Документ производителя