Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор BGH75N120HF1

BGH75N120HF1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
75 A
Рассеиваемая мощность
568 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 25 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 254,15 ₽

Сумма · с НДС 22%2 254,15 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 254,15 ₽
от 32 037,75 ₽
от 101 803,32 ₽
от 301 621,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBGH75N120HF1
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current75 A
Рассеиваемая мощность568 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge398nC
Kind of packagetube
Turn-on time140ns
Turn-off time443ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

Документация

Документ производителя