Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор BGH50N65HS1

BGH50N65HS1
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
357 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 34 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 065,77 ₽

Сумма · с НДС 22%2 065,77 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 065,77 ₽
от 51 857,76 ₽
от 301 640,78 ₽
от 1501 375,39 ₽
от 6001 325,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBGH50N65HS1
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop, SiC SBD, Trench
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность357 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge308nC
Kind of packagetube
Turn-on time54ns
Turn-off time256ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Документация

Документ производителя