INFINEON
Транзистор BFP640H6327XTSA1
- Type of transistor
- NPN
- Технология
- SiGe:C
- Polarisation
- bipolar
- Kind of transistor
- RF
- Collector-emitter voltage
- 4.1 V
- Collector current
- 50 mA
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 384 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%99,40 ₽
Сумма · с НДС 22%99,40 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 99,40 ₽ | |
| от 10 | 75,77 ₽ | |
| от 25 | 64,51 ₽ | |
| от 50 | 57,20 ₽ | |
| от 100 | 51,57 ₽ | |
| от 125 | 50,07 ₽ | |
| от 250 | 46,32 ₽ | |
| от 500 | 44,45 ₽ | |
| от 1000 | 43,13 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BFP640H6327XTSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | NPN |
| Технология | SiGe:C |
| Polarisation | bipolar |
| Kind of transistor | RF |
| Collector-emitter voltage | 4.1 V |
| Collector current | 50 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.2 W |
| Корпус | SOT343 |
| Current gain | 110...270 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 42 GHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.