Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Микросхема BD82030FVJ-GE2

Тип микросхемы
power switch
Назначение
high-side
Выходной ток
1 A
Number of channels
1
Kind of output
N-Channel
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBD82030FVJ-GE2
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Тип микросхемыpower switch
Назначениеhigh-side
Выходной ток1 A
Number of channels1
Kind of outputN-Channel
МонтажSMD — поверхностный
КорпусTSSOP-B8J
On-state resistance93 mΩ
Active logical levelhigh
Рабочая температура-40...85 °C
Напряжение питания4.5...5.5 V
Защитаover current OCP, overheating OTP, undervoltage UVP
Исходное описание поставщика

IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSSOP-B8J

Документация

Документы пока не предоставлены.