Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Микросхема BD52E30G-TR

BD52E30G-TR
Тип микросхемы
supervisor circuit
Назначение
voltage detector
Kind of RESET output
open drain
Active logical level
low
Напряжение питания
950mV DC...10V DC
Корпус
SSOP5
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBD52E30G-TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Тип микросхемыsupervisor circuit
Назначениеvoltage detector
Kind of RESET outputopen drain
Active logical levellow
Напряжение питания950mV DC...10V DC
КорпусSSOP5
Рабочая температура-40...105°C
МонтажSMD — поверхностный
Threshold on-voltage3V
Kind of packagereel, tape
Number of channels1
Integrated circuit features±1% accuracy
СерияBD52
Исходное описание поставщика

IC: supervisor circuit; voltage detector; open drain; SSOP5; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.