ONSEMI
Диод BAW56LT1G
- Type of diode
- switching
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 70 V
- Load current
- 0.2 A
- Reverse recovery time
- 6ns
- Semiconductor structure
- common anode, double
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 11 611 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%42,14 ₽
Сумма · с НДС 22%42,14 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 42,14 ₽ | |
| от 10 | 18,87 ₽ | |
| от 50 | 11,76 ₽ | |
| от 100 | 9,64 ₽ | |
| от 250 | 7,55 ₽ | |
| от 500 | 6,30 ₽ | |
| от 1000 | 5,29 ₽ | |
| от 3000 | 4,12 ₽ | |
| от 6000 | 3,55 ₽ | |
| от 9000 | 3,28 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BAW56LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of diode | switching |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 70 V |
| Load current | 0.2 A |
| Reverse recovery time | 6ns |
| Semiconductor structure | common anode, double |
| Features of semiconductor devices | fast switching |
| Ёмкость | 2 pF |
| Корпус | SOT23 |
| Max. forward voltage | 1.25 V |
| Max. forward impulse current | 4 A |
| Leakage current | 50 µA |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.