VISHAY

Диод BAT82S-TAP

Фото уточняется

Type of diode: Schottky switching
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 50 V
Load current: 30 mA
Semiconductor structure: single diode
Корпус: DO35

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BAT82S-TAP
Производитель	VISHAY
Type of diode	Schottky switching
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	50 V
Load current	30 mA
Semiconductor structure	single diode
Корпус	DO35
Max. forward voltage	1 V
Max. forward impulse current	0.5 A
Leakage current	0.2 µA
Ёмкость	1.6 pF

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky switching; THT; 50V; 30mA; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 0.2uA

Документация

Документы пока не предоставлены.