Антава

ONSEMI

Диод BAS16TT1G

BAS16TT1G
Type of diode
switching
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.1kV
Load current
0.2A
Reverse recovery time
6ns
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBAS16TT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeswitching
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.1kV
Load current0.2A
Reverse recovery time6ns
Semiconductor structuresingle diode
Ёмкость2pF
КорпусSOT416
Max. forward voltage1.25V
Max. forward impulse current0.5A
Leakage current50µA
Power dissipation0.36W
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT416; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA

Документация

Документы пока не предоставлены.