VISHAY

Диод BAS16LTH-G3-08

DFN1006-2Изображение корпуса

Type of diode: switching
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 0.1 kV
Load current: 0.25 A
Semiconductor structure: single diode
Корпус: DFN1006-2

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BAS16LTH-G3-08
Производитель	VISHAY
Type of diode	switching
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	0.1 kV
Load current	0.25 A
Semiconductor structure	single diode
Корпус	DFN1006-2
Max. forward voltage	1.25 V
Max. forward impulse current	9 A
Leakage current	1 µA

Исходное описание поставщика

Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; DFN1006-2; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 9A

Документация

Документы пока не предоставлены.