ONSEMI
Диод BAS16LT1G
- Type of diode
- switching
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 0.1 kV
- Load current
- 0.2 A
- Reverse recovery time
- 6ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | BAS16LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of diode | switching |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 0.1 kV |
| Load current | 0.2 A |
| Reverse recovery time | 6ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Ёмкость | 2 pF |
| Корпус | SOT23 |
| Max. forward voltage | 1.25 V |
| Max. forward impulse current | 0.5 A |
| Leakage current | 50 µA |
| Power dissipation | 0.3 W |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.