Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M040120H

B3M040120H
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
45A
Pulsed drain current
124A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB3M040120H
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current45A
Pulsed drain current124A
Power dissipation312W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance40mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Документация

Документ производителя