BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M040065L

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 45 A
Pulsed drain current: 106 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	B3M040065L
Производитель	BASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	45 A
Pulsed drain current	106 A
Power dissipation	230 W
Корпус	TOLL
Gate-source voltage	-4...18 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	60nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 106A; 230W; TOLL

Документация

Документ производителя