BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M040065H

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 47 A
Pulsed drain current: 108 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	B3M040065H
Производитель	BASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	47 A
Pulsed drain current	108 A
Power dissipation	250 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...18 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	60nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W

Документация

Документ производителя