Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M025065Z

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
78A
Pulsed drain current
171A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB3M025065Z
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current78A
Pulsed drain current171A
Power dissipation394W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18V
On-state resistance25mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W

Документация

Документ производителя