BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M025065B

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 161A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	B3M025065B
Производитель	BASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650V
Drain current	76A
Pulsed drain current	161A
Power dissipation	375W
Корпус	TOLT
Gate-source voltage	-5...18V
On-state resistance	25mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	98nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 76A; Idm: 161A; 375W; TOLT

Документация

Документ производителя