Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M013C120Z

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
127A
Pulsed drain current
360A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB3M013C120Z
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current127A
Pulsed drain current360A
Power dissipation750W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18V
On-state resistance13.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 127A; Idm: 360A; 750W

Документация

Документ производителя