BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B3M010C075H

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 480A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	B3M010C075H
Производитель	BASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	750V
Drain current	169A
Pulsed drain current	480A
Power dissipation	750W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...18V
On-state resistance	10mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	0.22µC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W

Документация

Документ производителя