BASIC SEMICONDUCTOR

Диод B3D20120H

Фото уточняется

Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	B3D20120H
Производитель	BASIC SEMICONDUCTOR
Type of diode	Schottky rectifying
Technology	SiC
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	1.2kV
Load current	20A
Semiconductor structure	single diode
Корпус	TO247-2
Max. forward impulse current	160A
Power dissipation	259W
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 259W

Документация

Документы пока не предоставлены.