Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B2M600170R

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
4 A
Pulsed drain current
10 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2M600170R
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current4 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation60 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 10A; 60W

Документация

Документ производителя