Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B2M600170HH

B2M600170HH
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7kV
Drain current
5A
Pulsed drain current
10A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2M600170HH
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7kV
Drain current5A
Pulsed drain current10A
Power dissipation75W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance0.6Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W

Документация

Документ производителя