Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B2M065120Z

B2M065120Z
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
33A
Pulsed drain current
85A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2M065120Z
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current33A
Pulsed drain current85A
Power dissipation250W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance65mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W

Документация

Документ производителя