Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B2M040120H

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
48 A
Pulsed drain current
123 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2M040120H
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current48 A
Pulsed drain current123 A
Power dissipation333 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W

Документация

Документ производителя