Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Транзистор B2M030120H

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
68A
Pulsed drain current
186A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2M030120H
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current68A
Pulsed drain current186A
Power dissipation454W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance30mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge115nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 186A; 454W

Документация

Документ производителя