BASIC SEMICONDUCTOR
Диод B2D20120HC1
Фото недоступно- Type of diode
- Schottky rectifying
- Technology
- SiC
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 1.2kV
- Load current
- 10A x2
- Semiconductor structure
- common cathode, double
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | B2D20120HC1 |
|---|---|
| Производитель | BASIC SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Technology | SiC |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Load current | 10A x2 |
| Semiconductor structure | common cathode, double |
| Корпус | TO247-3 |
| Max. forward voltage | 2V |
| Max. load current | 20A |
| Max. forward impulse current | 90A |
| Leakage current | 40µA |
| Power dissipation | 60W |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.