Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Диод B2D20120H1

B2D20120H1
Type of diode
Schottky rectifying
Technology
SiC
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
1.2kV
Load current
20A
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2D20120H1
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of diodeSchottky rectifying
TechnologySiC
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage1.2kV
Load current20A
Semiconductor structuresingle diode
КорпусTO247-2
Max. forward voltage1.78V
Max. forward impulse current190A
Leakage current40µA
Power dissipation159W
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA

Документация

Документ производителя