BASIC SEMICONDUCTOR
Диод B2D20120F1
- Type of diode
- Schottky rectifying
- Корпус
- TO263-2
- Технология
- SiC
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Load current
- 20 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | B2D20120F1 |
|---|---|
| Производитель | BASIC SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Корпус | TO263-2 |
| Технология | SiC |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Load current | 20 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Max. forward voltage | 1.8 V |
| Leakage current | 33 µA |
| Max. forward impulse current | 180 A |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 122 W |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.