Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Диод B2D10065Q

Фото уточняется
Type of diode
Schottky rectifying
Корпус
DFN8x8
Technology
SiC
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
650 V
Load current
10 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB2D10065Q
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of diodeSchottky rectifying
КорпусDFN8x8
TechnologySiC
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage650 V
Load current10 A
Semiconductor structuresingle diode
Max. forward voltage1.67 V
Leakage current20 µA
Max. forward impulse current70 A
Kind of packagereel, tape
Power dissipation54 W
Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape

Документация

Документ производителя