BASIC SEMICONDUCTOR
Диод B1D10065H
- Type of diode
- Schottky rectifying
- Технология
- SiC
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 650 V
- Load current
- 10 A
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%464,48 ₽
Сумма · с НДС 22%464,48 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 464,48 ₽ | |
| от 5 | 416,55 ₽ | |
| от 30 | 368,63 ₽ | |
| от 150 | 309,65 ₽ | |
| от 600 | 298,59 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | B1D10065H |
|---|---|
| Производитель | BASIC SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Технология | SiC |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 650 V |
| Load current | 10 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Корпус | TO247-2 |
| Max. forward voltage | 1.75 V |
| Max. forward impulse current | 75 A |
| Leakage current | 20 µA |
| Рассеиваемая мощность | 68 W |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.