Антава

BASIC SEMICONDUCTOR

Диод B1D10065E

B1D10065E
Type of diode
Schottky rectifying
Корпус
TO252-2
Technology
SiC
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
650V
Load current
10A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяB1D10065E
ПроизводительBASIC SEMICONDUCTOR
Type of diodeSchottky rectifying
КорпусTO252-2
TechnologySiC
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage650V
Load current10A
Semiconductor structuresingle diode
Max. forward voltage1.75V
Leakage current20µA
Max. forward impulse current75A
Kind of packagereel, tape
Power dissipation50W
Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape

Документация

Документ производителя