Антава

ONSEMI

Транзистор ATP113-TL-H

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-35 A
Pulsed drain current
-100 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяATP113-TL-H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-35 A
Pulsed drain current-100 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусATPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance29.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -100A; 50W; ATPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.