Антава

ALLIANCE MEMORY

Микросхема AS6C8016B-55ZIN

Тип микросхемы
SRAM memory
Kind of memory
asynchronous, SRAM
Memory
8Mb SRAM
Memory organisation
512kx16bit
Operating voltage
3 V
Access time
55ns

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAS6C8016B-55ZIN
ПроизводительALLIANCE MEMORY
Тип микросхемыSRAM memory
Kind of memoryasynchronous, SRAM
Memory8Mb SRAM
Memory organisation512kx16bit
Operating voltage3 V
Access time55ns
КорпусTSOP44 II
МонтажSMD — поверхностный
Integrated circuit featuresLPC
IC width400mils
Рабочая температура-40...85 °C
Исходное описание поставщика

IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils

Документация

Документы пока не предоставлены.