Антава

ALLIANCE MEMORY

Микросхема AS6C2008-55TIN

AS6C2008-55TIN
Тип микросхемы
SRAM memory
Kind of memory
asynchronous, SRAM
Memory
2Mb SRAM
Memory organisation
256kx8bit
Operating voltage
3...3.6 V
Access time
55ns
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAS6C2008-55TIN
ПроизводительALLIANCE MEMORY
Тип микросхемыSRAM memory
Kind of memoryasynchronous, SRAM
Memory2Mb SRAM
Memory organisation256kx8bit
Operating voltage3...3.6 V
Access time55ns
КорпусTSOP32
Kind of interfaceparallel
МонтажSMD — поверхностный
Integrated circuit featuresLPC
Рабочая температура-40...85 °C
Исходное описание поставщика

IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP32; parallel

Документация

Документ производителя