Антава

ALLIANCE MEMORY

Микросхема AS6C1016-55BIN

Фото уточняется
Тип микросхемы
SRAM memory
Kind of memory
asynchronous, SRAM
Memory
1Mb SRAM
Memory organisation
64kx16bit
Operating voltage
2.7...5.5V
Access time
55ns
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAS6C1016-55BIN
ПроизводительALLIANCE MEMORY
Тип микросхемыSRAM memory
Kind of memoryasynchronous, SRAM
Memory1Mb SRAM
Memory organisation64kx16bit
Operating voltage2.7...5.5V
Access time55ns
КорпусTFBGA48
Kind of interfaceparallel
МонтажSMD — поверхностный
Integrated circuit featuresLPC
Рабочая температура-40...85°C
Исходное описание поставщика

IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48

Документация

Документ производителя