Антава

ALLIANCE MEMORY

Микросхема AS4C512M16D3LA-10BIN

Фото уточняется
Тип микросхемы
DRAM memory
Kind of memory
DDR3, SDRAM
Memory
8Gb DRAM
Memory organisation
512Mx16bit
Operating voltage
1.35 V
Clock frequency
933 MHz

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAS4C512M16D3LA-10BIN
ПроизводительALLIANCE MEMORY
Тип микросхемыDRAM memory
Kind of memoryDDR3, SDRAM
Memory8Gb DRAM
Memory organisation512Mx16bit
Operating voltage1.35 V
Clock frequency933 MHz
Access time13.91ns
КорпусFBGA96
МонтажSMD — поверхностный
Рабочая температура-40...95 °C
Kind of packagein-tray
Исходное описание поставщика

IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns

Документация

Документы пока не предоставлены.